HXY3P06MI_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:115mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY3P06MI 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 SOT-23-3L 封裝，提供 3A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 115mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON)，有助于降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在多種電路中的穩(wěn)定性能。P 溝道設(shè)計(jì)，適用于廣泛的開關(guān)控制和電路保護(hù)應(yīng)用。選擇 HXY3P06MI，為您的項(xiàng)目提供可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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