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HXY6005MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:5A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:40mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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HXY6005MI 場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET),采用 SOT-23-3L 封裝,提供 5A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 40mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON),有助于降低能耗,提高效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),確保在不同電路條件下的穩(wěn)定性和可靠性。N 溝道設(shè)計(jì),適用于多種開關(guān)控制和電路保護(hù)應(yīng)用。選擇 HXY6005MI,為您的項(xiàng)目提供高效能保障。

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  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
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