HXY3415BI_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY3415BI 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 SOT-23 封裝，提供 5A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 20V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導(dǎo)通電阻 (RDON) 為 30mΩ，有助于減少功率損耗?！?0V 的柵源電壓 (VGS) 范圍，確保在各種電路中穩(wěn)定運(yùn)行。P 溝道設(shè)計(jì)，適用于廣泛的應(yīng)用場合。選擇 HXY3415BI，享受其帶來的高效與可靠。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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