FQD5N60CTM_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計有4A的額定電流ID，能夠承受高達650V的漏源電壓VDSS，適用于需要高壓處理的電子裝置。其擁有2.4Ω的導(dǎo)通電阻RDSS，在確保低能耗的同時，減少了熱生成，優(yōu)化了設(shè)備性能。該MOSFET兼容±30V的柵源電壓VGS，增加了在復(fù)雜電路環(huán)境中的適用性。它可以在各種消費電子產(chǎn)品中找到用途，例如適配器、充電器以及家用電器的電源控制部分，作為關(guān)鍵的開關(guān)或穩(wěn)壓組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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