HXY30N03D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY30N03D 場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 30A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 9mΩ 的低導(dǎo)通電阻 (RDON)，可有效減少能量損失，提高轉(zhuǎn)換效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同的電路應(yīng)用中保持穩(wěn)定性能。N 溝道設(shè)計(jì)，適用于多種電路保護(hù)和開(kāi)關(guān)控制場(chǎng)景。選擇 HXY30N03D，為您的項(xiàng)目提供高效能解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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