HXY15N10D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY15N10D 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，具有出色的電氣特性。此款 N 溝道 MOSFET 支持高達(dá) 15A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 100V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)，同時(shí)擁有 100mΩ 的低導(dǎo)通電阻 (RDON)，確保高效能表現(xiàn)。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±20V，適合用于各種精密電路設(shè)計(jì)中的開關(guān)和信號(hào)放大。選擇 HXY15N10D，體驗(yàn)高品質(zhì)電子組件帶來的便捷與可靠。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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