HXY3419ADF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY3419ADF 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 DFN3X3-8L 小型封裝，具備 55A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導(dǎo)通電阻 (RDON) 低至 8mΩ，有效減少發(fā)熱，提高能效。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在多樣的電路環(huán)境中穩(wěn)定工作。P 溝道設(shè)計(jì)，適用于各種精密控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。選擇 HXY3419ADF，為您的項(xiàng)目帶來高效可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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