HCG65140DBA_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:17A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款氮化鎵晶體管為N型，電流為17A，電壓650V。適用于各類電子產(chǎn)品，在高電壓環(huán)境下能穩(wěn)定承載較大電流。具有高效能、低損耗等特性，可提升電子產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，滿足特定功率需求場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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