HIRFZ44NPBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計緊湊，具備出色的電氣性能。其最大漏源電流（ID）可達25安培，在10伏特下的導通電阻（RDSON）僅為12毫歐姆，有效降低了導通狀態(tài)下的功耗。該器件的最大漏源電壓（VDSS）為60伏特，能夠承受較高電壓的應用環(huán)境，同時，柵源電壓（VGS）的最大值為20伏特，提供了寬泛的操作范圍。此MOSFET適用于各種電子設備中的電源管理與信號控制，如便攜式電子產(chǎn)品、消費類電器等，是高性能電路設計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
