IXGH50N120C3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款I(lǐng)GBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下保持較低的能量損耗。內(nèi)置二極管可支持40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，性能穩(wěn)定。該器件適合用于需要高效能開(kāi)關(guān)和功率控制的設(shè)備中，例如電源轉(zhuǎn)換裝置、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及儲(chǔ)能設(shè)備等，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠滿(mǎn)足復(fù)雜工況下的運(yùn)行需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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