IGW40T120FKSA1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為IGBT模塊，具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高功率應用場景。在導通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，能夠有效降低導通損耗。內(nèi)置二極管可承受40A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，性能穩(wěn)定可靠。該模塊適用于需要高效能開關與功率控制的設備，例如電力變換裝置、精密電機驅動系統(tǒng)及高精度電源管理設備，為復雜電路提供穩(wěn)定的功率支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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