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NCE25TD135LT_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:30A 參數(shù)2:電壓VCE:1350V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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本款I(lǐng)GBT管/模塊具備30A的集電極電流(Ic)和1350V的集射極擊穿電壓(Vces),可支持高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管的正向電流(IF)為30A,正向壓降(Vf)為1.85V,性能穩(wěn)定。該器件適用于需要高效能電力轉(zhuǎn)換與控制的設(shè)備,如電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置及智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)施,為復(fù)雜電路設(shè)計(jì)提供可靠的技術(shù)支持。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014