IRGP4263D-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具有50A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升轉(zhuǎn)換效率。內(nèi)置續(xù)流二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，可在高頻開(kāi)關(guān)與能量回饋應(yīng)用中提供穩(wěn)定性能。模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化，兼顧散熱效率與電氣性能，廣泛應(yīng)用于電源變換、新能源控制及高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，滿足高壓高電流場(chǎng)景的技術(shù)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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