AOK50B65M2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.45A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊的集電極電流（Ic）為50A，集射極擊穿電壓（Vces）達(dá)650V，適用于中高功率電力電子設(shè)備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，在導(dǎo)通狀態(tài)下可有效控制能量損耗。內(nèi)置二極管的正向電流（IF）同樣支持50A，正向壓降（Vf）為1.45V，表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性能與熱穩(wěn)定性。模塊設(shè)計(jì)符合標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)范，便于安裝和散熱，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及電力調(diào)節(jié)等多樣化場(chǎng)景，提供穩(wěn)定高效的功率處理能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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