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STGWA40M120DF3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類(lèi)別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:40A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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本產(chǎn)品為IGBT管/模塊,具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于高電壓和較高功率場(chǎng)景。在導(dǎo)通狀態(tài)下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,能夠有效降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管支持40A的正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為1.85V,表現(xiàn)出良好的能效特性。該器件適合用于需要穩(wěn)定性和高效能的應(yīng)用場(chǎng)合,如電力轉(zhuǎn)換與控制、節(jié)能設(shè)備及精密儀器等領(lǐng)域,為復(fù)雜電路提供可靠支持。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話(huà):18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014