IRGP4063DPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT管/模塊具備集電極電流（Ic）50A與集射極擊穿電壓（Vces）650V的電氣特性，適用于中高功率的電子系統(tǒng)設(shè)計。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，在導(dǎo)通狀態(tài)下可有效控制能量損耗。內(nèi)置二極管支持正向電流（IF）50A，正向壓降（Vf）低至1.45V，具備良好的續(xù)流性能和熱穩(wěn)定性。該器件適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制及其他對效率與可靠性有較高要求的電路場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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