STGWA100H65DFB2-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:100A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.45V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.55A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款IGBT管/模塊具備100A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可適用于較高功率的電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.45V，有助于減小導通損耗，提升整體能效。內置二極管支持100A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.55V，具備較強的續(xù)流能力與穩(wěn)定性。該器件適合用于各類高效功率轉換設備中的開關控制與能量調節(jié)應用，參數(shù)設計兼顧性能與可靠性需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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