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CRG40T120AK3S_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:40A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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本IGBT模塊具有40A集電極電流(Ic)和1200V集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。導(dǎo)通時(shí)集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V,有效減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率。內(nèi)置續(xù)流二極管可承受40A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的高頻響應(yīng)與穩(wěn)定性。該器件適合應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)設(shè)備、可再生能源系統(tǒng)及精密電機(jī)控制等場(chǎng)景,滿足對(duì)性能與可靠性有較高要求的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014