HSGL160N60UFDTU_TO-264_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-264 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：24/管裝 參數(shù)1：電流IC:160A 參數(shù)2：電壓VCE:600V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.4V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.4A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極晶體管）具有600V的集射極擊穿電壓(VCES)，可在高達(dá)160A的集電極電流(Ic)下工作，最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V，確保了低驅(qū)動(dòng)損耗和快速開(kāi)關(guān)性能。適用于高性能電源管理、電機(jī)控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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