LESD8L3.3CT5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：電流Ipp:4A 參數(shù)2：電壓VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:0.25pF 參數(shù)4：類型:Bi雙向 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該靜電和浪涌保護(hù)器件具備4A的峰值脈沖電流（IPP）能力，有效抑制瞬態(tài)過電壓，保障電路安全。其反向工作電壓為3.3V（VRWM），適用于低電壓信號線路的防護(hù)需求。器件內(nèi)部結(jié)電容僅為0.25pF，確保高速信號傳輸過程中不會引入明顯干擾。采用單通道（LINE:1通道）雙向（Bi-directional）設(shè)計，兼容雙向信號線路保護(hù)場景，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品及精密電子儀器中，為敏感電路提供可靠防護(hù)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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