LESD8L5.0N3T6G_DFN1006-3L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：電流Ipp:1A 參數(shù)2：電壓VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.7pF 參數(shù)4：類型:Uni單向 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此靜電和浪涌保護(hù)器件為Uni單向類型，適用于電路中的瞬態(tài)電壓抑制。其IPP最大峰值脈沖電流為1安培，適合需要較小保護(hù)電流的應(yīng)用場(chǎng)景。額定反向工作電壓VRWM為5伏特，確保在常規(guī)操作電壓下穩(wěn)定工作。極低的寄生電容CJ僅為0.7皮法，對(duì)信號(hào)完整性影響極小，非常適合高速數(shù)據(jù)傳輸線路或高頻應(yīng)用中使用。2通道設(shè)計(jì)允許同時(shí)保護(hù)多條線路免受靜電放電（ESD）和瞬時(shí)過壓事件的影響。該保護(hù)元件是保障電子設(shè)備可靠性和穩(wěn)定性的重要組成部分，尤其適用于對(duì)空間和性能有嚴(yán)格要求的電路設(shè)計(jì)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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