HXY90N08P_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:96A 參數(shù)2：VDSS:80V 參數(shù)3：RDON:6.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有高效能的特點，最大漏源電流（ID）為96安培，適用于大電流的應(yīng)用場景。在10伏特下，其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至6.2毫歐姆，顯著降低了功率損耗。器件的最大漏源電壓（VDSS）為80伏特，可以提供可靠的高電壓操作保障。柵源電壓（VGS）的最大值為20伏特，確保了廣泛的驅(qū)動兼容性。該MOSFET適用于高功率密度的設(shè)計，如服務(wù)器電源供應(yīng)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施以及高性能計算設(shè)備中的電源管理和信號調(diào)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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