PCDB1065G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.51V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式設(shè)計(jì)，額定正向電流（IF）為10A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，適用于較高功率等級的電力轉(zhuǎn)換電路。其正向壓降（VF）為1.51V，在高溫與高頻率工作環(huán)境下仍保持穩(wěn)定的電氣性能。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的熱導(dǎo)率和耐壓能力，可顯著降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)能效。適用于高效率開關(guān)電源、太陽能逆變裝置、高密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，支持在高溫及高應(yīng)力電氣條件下持續(xù)可靠運(yùn)行，滿足對功率密度與熱管理要求較高的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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