IPA65R150CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源耐壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定驅(qū)動與可靠關(guān)斷。采用寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的高溫工作性能和開關(guān)特性，適用于高功率密度電源系統(tǒng)。常見于高效直流-交流逆變裝置、高壓直流變換拓撲及高頻開關(guān)電源模塊中，可提升系統(tǒng)效率并減少散熱設(shè)計負擔。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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