IPA60R250CPXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保器件在驅(qū)動信號下的可靠關(guān)斷與增強(qiáng)型開啟。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻開關(guān)能力，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洌鐖D騰柱PFC、同步整流及高功率密度開關(guān)電源模塊，有助于提升系統(tǒng)能效并減小散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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