B1D10065F_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.51V 參數(shù)4：二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為10A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，適用于中高功率密度的電力轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。其正向?qū)▔航担╒F）為1.51V，結(jié)合碳化硅材料的低反向恢復(fù)電荷特性，可顯著降低導(dǎo)通與開關(guān)損耗。器件具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和熱導(dǎo)性能，支持高頻、高效運(yùn)行，適用于服務(wù)器電源、通信基站供電系統(tǒng)、儲(chǔ)能逆變單元及高效率開關(guān)電源模塊等場(chǎng)景，能夠在較寬溫度范圍內(nèi)維持可靠電氣性能，滿足對(duì)能效與散熱要求較高的電子電力應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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