SPA20N65C3XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性。得益于碳化硅材料的優(yōu)異特性，該器件可在高頻、高溫及高壓環(huán)境下可靠運行，廣泛應(yīng)用于高效電源變換器、可再生能源逆變系統(tǒng)及高密度電源模塊中，有助于提升系統(tǒng)整體能效并減小體積。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
