R6530KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和24A連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動與器件保護。碳化硅材料賦予其優(yōu)異的高頻開關(guān)性能、高溫工作能力及抗熱失控特性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換裝置，如大功率開關(guān)電源、可再生能源逆變系統(tǒng)、儲能設(shè)備中的功率級電路以及對功率密度和熱管理要求較高的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
