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STF16N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:20A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:160mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓(VDSS)和20A的連續漏極電流(ID),導通電阻低至160mΩ,適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V,具備良好的開關特性與熱穩定性。得益于碳化硅材料的優異性能,該器件可在高頻、高溫環境下可靠運行,廣泛應用于電源轉換、能源管理及高性能逆變系統中,能夠有效降低開關損耗,提升系統整體能效,是現代電力電子裝置中的關鍵元件。

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