FCPF11N65-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工作環(huán)境下仍能保持良好性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩(wěn)定柵極驅(qū)動控制。碳化硅材料的應(yīng)用顯著提升了器件的開關(guān)速度與耐熱性，有助于減小系統(tǒng)能量損耗。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換設(shè)備、不間斷電源系統(tǒng)、太陽能逆變模塊及緊湊型高頻功率電路設(shè)計(jì)，滿足對功率密度與長期可靠性要求較高的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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