FCPF250N65S3L1-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，兼容常規(guī)驅(qū)動電路，確保開關(guān)動作的穩(wěn)定性。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的高溫工作性能、快速開關(guān)能力及較低的開關(guān)損耗，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換拓?fù)洹５湫蛻?yīng)用包括高效電源模塊、可再生能源逆變系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心供電單元及高密度功率轉(zhuǎn)換設(shè)備等對熱性能與電氣性能要求較高的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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