IXTP24N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保柵極驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性與器件可靠性。依托碳化硅材料優(yōu)勢(shì)，該器件支持高頻開關(guān)操作，具備較低的開關(guān)損耗與優(yōu)異的熱性能。適用于高效率開關(guān)電源、高壓直流變換器、光伏逆變裝置及高功率密度電源模塊等應(yīng)用，尤其適合對(duì)能效、功率密度和散熱管理有較高要求的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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