G2R50MT33K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:3300V 參數(shù)3：RDON:50mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為高性能碳化硅（SiC）N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備高電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)熱性能。其漏極電流ID可達(dá)50A，漏源擊穿電壓VDSS高達(dá)3300V，導(dǎo)通電阻RDON低至50mΩ，確保在高電壓和高頻率工作條件下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。適用于高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源設(shè)備、智能電網(wǎng)及高密度電力電子裝置中，為復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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