R6520KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件在復雜工況下的穩定開關特性。得益于碳化硅材料的優異性能，該器件具有出色的耐壓能力、較低的開關損耗和良好的高溫工作穩定性，可廣泛應用于高效電源系統、可再生能源逆變裝置及高密度功率模塊中，滿足對小型化與高能效有要求的電路設計需求。
