IV1D12010P2Z_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：IF:10A 參數(shù)2：VR:1200V 參數(shù)3：VF:1.39V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和1200V的反向耐壓（VR），在高負(fù)載條件下仍能保持穩(wěn)定性能。其正向?qū)▔航担╒F）低至1.39V，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效?；谔蓟璨牧系奶匦?，該器件支持更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)電源、高效直流變換器及要求嚴(yán)苛的電力轉(zhuǎn)換場景，可有效降低散熱需求和系統(tǒng)體積，提升功率密度與運行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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