NVD260N65S3T4G-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩(wěn)定可靠的柵極控制。得益于碳化硅材料的特性，該器件可在較高溫度下運(yùn)行，具有優(yōu)異的開關(guān)性能和耐壓能力，適用于高頻率、高功率密度的電源系統(tǒng)，如高效能交直流轉(zhuǎn)換裝置、可再生能源逆變設(shè)備及高功率密度電源模塊，有助于提升系統(tǒng)整體能效并減小散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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