NVD360N65S3T4G-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩定可靠的開關控制。得益于碳化硅材料的優異特性，器件具有出色的耐壓能力與熱穩定性，可顯著降低開關損耗。典型應用包括高效電源模塊、可再生能源逆變系統及高密度功率變換裝置，適合對能效和功率密度有較高要求的電路設計。
