IPD65R225C7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，可有效降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)能力與熱穩(wěn)定性，適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計。典型應(yīng)用包括高效直流-直流變換器、功率因數(shù)校正電路及高壓電源模塊，適合對能效與系統(tǒng)體積有較高要求的電力電子場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
