GC3M0015065K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為650V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備出色的導(dǎo)通性能與耐高壓特性。其最大漏極電流可達(dá)120A，導(dǎo)通電阻低至15mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與快速開關(guān)能力，適合高功率與高頻應(yīng)用場景。該MOSFET可廣泛用于高效電源、儲能系統(tǒng)及精密電力電子設(shè)備中，滿足對性能與穩(wěn)定性的多樣化需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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