IPD65R420CFDA-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。依托碳化硅材料的高臨界電場(chǎng)與高熱導(dǎo)率特性，該器件在高電壓、高頻率工作條件下仍能保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能與熱穩(wěn)定性。典型應(yīng)用場(chǎng)景涵蓋高效能電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變裝置、數(shù)據(jù)中心電源模塊及高密度能源轉(zhuǎn)換設(shè)備，適用于對(duì)能效與功率密度有較高要求的電力電子設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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