R6515KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓和15A的連續漏極電流能力，導通電阻典型值為260mΩ，在高電壓工作條件下可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定驅動與可靠關斷。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備出色的耐高溫性能和快速開關響應能力，適用于高頻、高壓的電力轉換應用。典型使用場景包括高效能電源系統、高壓直流變換裝置、光伏逆變單元及高功率密度開關電源設計，有助于提升整體效率并優化熱管理布局。
