NTD360N65S3H-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻、高溫及高功率密度的工作環(huán)境。典型應(yīng)用包括高效能電源模塊、可再生能源逆變裝置、大功率開(kāi)關(guān)電源以及高性能電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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