FL06320A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持標準驅(qū)動電平并具備良好的柵極可靠性。基于碳化硅材料，器件具有優(yōu)異的開關(guān)速度、耐高溫性能和較低的反向恢復電荷。適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換拓撲，如圖騰柱PFC電路、LLC諧振轉(zhuǎn)換器、高壓DC-DC變換器及光伏逆變裝置，可提升系統(tǒng)整體能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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