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FF06320A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:15A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:260mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續漏極電流(ID),導通電阻低至260mΩ,適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。其柵源電壓范圍為-5V至!6V,支持穩定的開關操作。得益于碳化硅材料的特性,器件具備優異的耐高溫和耐高壓性能,可顯著降低開關損耗,提升系統整體能效。典型應用包括高效開關電源、太陽能逆變系統及高密度功率模塊等對性能要求嚴苛的領域。

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