IDK08G65C5XTMA2-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能和較高的工作溫度能力。該器件適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場合，可用于電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源逆變裝置以及高頻率開關(guān)電路中，有助于提升系統(tǒng)整體效率并減小散熱設(shè)計負(fù)擔(dān)，是現(xiàn)代高功率密度電子設(shè)備中的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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