TK560P65Y,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高頻開關(guān)能力與高溫工作性能，適用于高功率密度電源系統(tǒng)，如高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換模塊及光伏逆變單元，在提升能效的同時減小系統(tǒng)體積。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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