FCD360N65S3R0-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中的穩(wěn)定驅(qū)動與可靠性。得益于碳化硅材料的優(yōu)異特性，該器件具有出色的耐壓能力、較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適合應(yīng)用于高密度電源系統(tǒng)、可再生能源逆變裝置及高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器中，滿足對小型化與高效能有較高要求的電路方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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