NTPF360N65S3H-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅動控制。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，器件適用于高頻、高壓工作環(huán)境，廣泛用于高效開關電源、可再生能源發(fā)電逆變裝置、數據中心電源模塊及高功率密度電力轉換系統(tǒng)，滿足對散熱性能和空間利用率有較高要求的應用場景。
