S1M032120H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體技術(shù)，具有高耐壓、低導通電阻和快速開關(guān)特性。其漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON僅為25mΩ，可顯著降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)備，如高效能開關(guān)電源、新能源發(fā)電系統(tǒng)及電力儲能裝置。優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)確保了良好的熱管理與長期工作穩(wěn)定性，滿足多種嚴苛應用場景的技術(shù)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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