GC3M0065090D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:65mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）采用N溝道結構，支持36A連續漏極電流（ID）和900V漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高功率密度和高電壓轉換場景。導通電阻（RDON）為65mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。基于碳化硅材料，具備優異的熱穩定性和快速開關能力，支持高頻高效電力轉換設計。可應用于高效電源系統、可再生能源轉換裝置及高密度電力控制設備，滿足復雜工況下的性能與可靠性要求。
